深入淺出SSD：固態存儲核心技術、原理與實戰 第2版( 簡體 字) | |
| 作者：SSDFans 胡波 石亮 岑彪 | 類別：1. -> 程式設計 -> 綜合 |
| 出版社：機械工業 |  3dWoo書號： 56304詢問書籍請說出此書號！ 有庫存 NT售價： 645 元 |
| 出版日：8/1/2023 | |
| 頁數：474 | |
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| 印刷：黑白印刷 | 語系： ( 簡體 字 ) |
| ISBN：9787111731986 | 加入購物車 │加到我的最愛 (請先登入會員) |
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●讚譽
序1 序2 前言 產品與市場篇 第1章SSD綜述2 1.1引子2 1.2SSD與HDD4 1.3固態存儲及SSD技術發展史7 1.4SSD基本工作原理15 1.5SSD產品核心指標17 1.5.1基本資訊剖析18 1.5.2性能剖析21 1.5.3壽命剖析24 1.5.4資料可靠性剖析26 1.5.5功耗和其他剖析29 1.5.6SSD系統相容性32 1.6介面形態33 1.6.12.5in35 1.6.2M.235 1.6.3BGA SSD37 1.6.4U.238 1.6.5EDSFF38 第2章SSD及快閃記憶體市場43 2.1SSD市場43 2.1.1消費級SSD取代HDD43 2.1.2SSD和HDD應用場合45 2.1.3SSD市場情況45 2.1.4國產SSD廠商和產品46 2.2快閃記憶體市場57 2.2.1近期新原廠動態57 2.2.2快閃記憶體發展趨勢72 第3章專用SSD存儲76 3.1可計算存儲76 3.1.1可計算存儲的誕生背景76 3.1.2可計算存儲的應用探索78 3.1.3可計算存儲的成功案例84 3.1.4可計算存儲的前景展望86 3.2航太存儲87 3.2.1背景87 3.2.2航太存儲系統技術現狀與 發展趨勢88 核心技術篇 第4章SSD主控94 4.1解讀控制器架構94 4.2SSD主控廠商99 4.2.1SSD主控國際大廠100 4.2.2SSD主控國內廠商103 第5章NAND快閃記憶體122 5.1快閃記憶體基本原理122 5.1.1存儲單元及相關操作122 5.1.2快閃記憶體類型125 5.1.3快閃記憶體組織結構128 5.1.4擦、寫、讀操作130 5.1.5閾值電壓分佈圖133 5.2快閃記憶體可靠性問題136 5.2.1磨損136 5.2.2讀干擾137 5.2.3寫干擾和抑制程式設計干擾138 5.2.4資料保持140 5.2.5存儲單元之間的干擾141 5.3資料可靠性問題的解決方案142 5.43個與性能相關的快閃記憶體特性144 5.4.1多Plane操作144 5.4.2緩存讀寫操作146 5.4.3非同步Plane操作147 5.53D快閃記憶體148 5.5.1使用3D技術提高快閃記憶體密度148 5.5.23D快閃記憶體存儲單元150 5.5.33D快閃記憶體組織結構152 5.5.43D快閃記憶體週邊電路架構154 第6章FTL詳解156 6.1FTL綜述156 6.2映射管理158 6.2.1映射的種類158 6.2.2映射的基本原理160 6.2.3HMB163 6.2.4映射表寫入164 6.3垃圾回收165 6.3.1垃圾回收原理165 6.3.2寫放大174 6.3.3垃圾回收實現176 6.3.4垃圾回收時機187 6.4解除映射關係187 6.5磨損均衡189 6.6掉電恢復191 6.7壞塊管理193 6.7.1壞塊鑒別194 6.7.2壞塊管理策略195 6.8SLC緩存196 6.8.1SLC緩存寫入策略和分類196 6.8.2讀寫過程197 6.8.3資料移轉198 6.9讀干擾和資料保持199 第7章ECC原理202 7.1信號和雜訊202 7.2通信系統模型203 7.3糾錯編碼的基本思想204 7.3.1編碼距離205 7.3.2線性改錯碼的基石—奇偶 校驗205 7.3.3校驗矩陣H和生成矩陣G206 7.4LDPC原理簡介207 7.4.1LDPC是什麼207 7.4.2Tanner圖208 7.5LDPC解碼209 7.5.1Bit-f?lipping演算法209 7.5.2和積資訊傳播演算法211 7.6LDPC編碼216 7.7LDPC改錯碼轉碼器在SSD 中的應用217 協議篇 第8章PCIe介紹222 8.1從PCIe的速度說起222 8.2PCIe拓撲結構225 8.3PCIe分層結構228 8.4PCIe TLP類型231 8.5PCIe TLP結構234 8.6PCIe配置和位址空間239 8.7TLP的路由244 8.8資料連結層251 8.9實體層256 8.10PCIe重置259 8.11PCIe優選有效載荷和優選讀 請求264 8.12PCIe SSD熱插拔265 8.13SSD PCIe鏈路性能損耗分析266 8.14PCIe省電模式ASPM269 8.15PCIe其他省電模式272 8.16PCIe 4.0和5.0介紹273 8.17SR-IOV274 第9章NVMe介紹277 9.1AHCI到NVMe277 9.2NVMe綜述279 9.3吉祥三寶：SQ、CQ和DB283 9.4定址雙雄：PRP和SGL289 9.5Trace分析295 9.6端到端資料保護299 9.7Namespace303 9.8NVMe動態電源管理308 9.9NVMe over Fabrics312 9.9.1概述314 9.9.2NVMe over RDMA概述318 9.9.3NVMe over TCP概述322 9.9.4案例解讀325 9.9.5全快閃記憶體陣列334 9.10ZNS簡介347 …… 本書從基礎認知、核心技術、協定、測試和快閃記憶體系統五個方面對SSD固態存儲進行全面且深入解讀。相較於第1版，本書新增了近40%的新內容，並對之前20%左右的過時內容進行了更新或刪減。基礎概念部分，新增了近3年固態存儲市場和快閃記憶體市場的變化，並重點介紹了一些特殊的SSD存儲的知識，包括可計算存儲、工業存儲、混合存儲以及相關產品架構。核心技術部分，除原有的主控、存儲介質、他、FTL、ECC的原理和實現外，還專門增加了SSD主控、3D NAND、QLC快閃記憶體、新型記憶體與SCM、混合式FTL等重點和熱點技術。協定部分在原有基礎上對PCIe、NVMe進行了近30%的新內容擴展，同時新增了對UFS協議的介紹和解讀。測試部分基本都是新內容，主要介紹了與SSD相關的測試基本概念、原理、落地方法和工具。擴展部分是全新的章節，主要對快閃記憶體檔案系統進行深入解讀，這是當前各大SSD廠商及相關從業者關心的內容。
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