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電子元器件權威技術指南（圖文版）（IEEE EDS 35周年特別推薦） ( 簡體 字) |
| 作者：[德] Joachim N. Burghartz | 類別：1. -> 電子工程 -> 電子電氣 |
| 譯者： |
| 出版社：人民郵電出版社 |  3dWoo書號： 45413
詢問書籍請說出此書號！【缺書】
NT售價： 645 元 |
| 出版日：10/1/2016 |
| 頁數：278 |
| 光碟數：0 |
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站長推薦：   |
| 印刷：黑白印刷 | 語系： ( 簡體 版 ) |
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| ISBN：9787115430922 |
| 作者序 | 譯者序 | 前言 | 內容簡介 | 目錄 | 序 |
| (簡體書上所述之下載連結耗時費功, 恕不適用在台灣, 若讀者需要請自行嘗試, 恕不保證) |
| 作者序： |
| 譯者序： |
| 前言： |
內容簡介： 這本書是非常先進的電子器件的簡潔的指南，由EDS的67位專家成員撰寫。在全書21章中，專家們分享了它們在電子器件各個領域的專業知識。這些章節描述了各種各樣的電子器件，這種多樣性也正是EDS面臨的現實。來自產業界、學術界、政府部門的專家對本書也有諸多貢獻。作者來自五大洲，這是一個真正優秀的團隊，包括了優秀的管理者、年輕的工程師、知名名的大學教授和年輕的學者。編輯因此試圖保持明顯不同的風格，以反應區域、背景和隸屬關系的差異。 |
目錄：序
導言
對本書有貢獻者
致謝
介紹：發展歷史
第一部分：基本電子設備
1 雙極晶體管
John D. Cressler and Katsuyoshi Washio
1.1 動機
1.2 pn結及其電子應用
1.3 雙極結晶體管及其電子應用
1.4 雙極晶體管的優化
1.5硅鍺異質結雙極晶體管
參考文獻
2 MOSFETs
Hiroshi Iwai, Simon Min Sze, Yuan Taur and Hei Wong
2.1 MOSFET介紹
2.2 MOSFET基礎
2.3 MOSFET演化
2.4 結束語
參考文獻
3 內存設備
Kinam Kim and Dong Jin Jung
3.1 介紹
3.2 揮發性存儲器
3.3 非揮發性存儲器
3.4 MOS存儲展望
3.5 結束語
參考文獻
4 被動元件
Joachim N. Burghartz and Colin C. McAndrew
4.1 離散和集成的被動元件
4.2 模擬IC和DRAM應用
4.3 案例研究----平面螺旋電感
4.4 集成電路中的寄生應用
參考文獻
5 新興設備
Supriyo Bandyopadhyay, Marc Cahay and Avik W. Ghosh
5.1 不可充電開關
5.2 硅的替代物碳和石墨烯電子學和分子電子學的興起
5.3 結束語
參考文獻
第二部分 電子設備和IC制造
6 電子材料
James C. Sturm, Ken Rim, James S. Harris and Chung-Chih Wu
6.1 介紹
6.2 硅設備技術
6.3 化合物半導體設備
6.3.1 金屬半導體場效應晶體管（MESFETs）
6.3.2 高電子移動性晶體管（HEMTs）
6.3.3 異質結雙極晶體管（HBT）
6.3.4 光電器件
6.4 電子顯示
6.4.1 1930-2000年代：陰極射線管（CRT）
6.4.2 1990-2000年代：等離子平板顯示器（PDP）
6.4.3 1990年代-現在：有源矩陣液晶顯示器（AMLCD）和電泳墨水（E-ink）
6.4.4 2000年-現在：有源矩陣有機發光二極管顯示器（AMOLED）
6.5 結束語
參考文獻
7 緊湊建模
Colin C. McAndrew and Laurence W. Nagel
7.1 緊湊模型的角色
7.2 雙極晶體管緊湊建模
7.3 MOS晶體管緊湊建模
7.4 無源器件的緊湊建模
7.5 基準測試和實踐
參考文獻
8 計算機輔助設計（CAD）技術
David Esseni, Christoph Jungemann, J¨urgen Lorenz, Pierpaolo Palestri,
Enrico Sangiorgi and Luca Selmi
8.1 介紹
8.2 飄移擴散模型
8.3 微觀傳輸模型
8.4 數量傳輸模型
8.5 過程和設備仿真
參考文獻
9 電子設備、連接和電路的可靠性
Anthony S. Oates, Richard C. Blish, Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak
9.1 介紹和背景
9.2 設備可靠性描述
9.3 電路級可靠性描述
9.3.1 單事件翻轉引起的軟故障
9.3.2 IC中的機械應力效應
9.4 保證IC可靠性的微觀方法
參考文獻
10 半導體制造
Rajendra Singh, Luigi Colombo, Klaus Schuegraf, Robert Doering and Alain Diebold
10.1 介紹
10.2 摘要
10.3 光刻和蝕刻
10.4 前端處理
10.5 后端處理
10.6 過程控制
10.7 裝配和測試
10.8 發展方向
參考文獻
第三部分 基于電子設備的應用
11 VLSI技術和電路
Kaustav Banerjee and Shuji Ikeda
11.1 介紹
11.2 MOSFET擴展技術
11.3 低耗高速邏輯設計
11.4 縮放驅動技術的改進
11.5 低壓晶體管
11.6 相互連接
11.7 存儲
11.8 系統集成
參考文獻
12 混合信號技術和集成電路
Bin Zhao and James A. Hutchby
12.1 介紹
12.2 擴展CMOS中的模擬/混合信號技術
12.3 數據轉換器IC
12.4 低耗顯示中的混合信號電路
12.5 圖像傳感器技術和電路
參考文獻
13 內存技術
Stephen Parke, Kristy A. Campbell and Chandra Mouli
13.1 半導體內存歷史
13.2 主流半導體內存
13.2.1 DRAM
13.2.1 DRAM
13.2.2 NAND閃存
13.3 內存技術展望
13.3.1 磁化基器件
13.3.2 PCRAM器件
13.3.3 CBRAM器件
13.4 技術語
參考文獻
14 RF和微波半導體技術
Giovanni Ghione, Fabrizio Bonani, Ruediger Quay and Erich Kasper
14.1 GaA和InP
14.2 硅和硅鍺
14.3 寬帶隙設備
參考文獻
15 功率設備和IC
Richard K. Williams, Mohamed N. Darwish, Theodore J. Letavic and Mikael O¨ stling
15.1 功率設備和IC概觀
15.2 雙負載和高耗設備
15.3 MOSFET功率設備
15.4 高電壓和電源IC
15.5 寬帶隙功率設備
參考文獻
16 光伏設備
Steven A. Ringel, Timothy J. Anderson, Martin A. Green, Rajendra Singh and Robert J. Walters
16.1 介紹
16.2 硅光伏
16.3 多晶硅薄膜光伏
16.4 3-4級化合物光伏
16.5 光伏展望
參考文獻
17 大區域電子
Arokia Nathan, Arman Ahnood, Jackson Lai and Xiaojun Guo
17.1 薄膜太陽能電池
17.1.1 簡介
17.1.2 非晶、納米和微晶硅
17.1.3 碲化鎘（CdTe）
17.1.4 硫化物
17.1.5 有機物和聚合物
17.2 大區域影像
17.2.1 介紹和應用
17.2.2 成像結構
17.2.3 挑戰
17.2.4 未來展望和發展
17.3 平板顯示
參考文獻
18 微電子機械系統
Darrin J. Young and Hanseup Kim
18.1 介紹
18.2 60年代----最早的微機器結構
18.3 70年代----集成的傳感器
18.4 80年代----表面微機器
18.5 90年代----各種領域的MEMS
18.6 二十一世紀----MEMS驅動的多元化復雜系統
18.7 未來展望
參考文獻
19 真空裝置的應用
David K. Abe, Baruch Levush, Carter M. Armstrong,
Thomas Grant and William L. Menninger
19.1 介紹
19.2 行波裝置
19.3 調速管
19.4 誘導輸出管
19.5 正交場設備
19.6 陀螺裝置
參考文獻
20光電設備
Leda Lunardi, Sudha Mokkapati and Chennupati Jagadish
20.1 介紹
20.2 半導體中的光發射
20.3 光電探測器
20.4 集成光電子學
20.4.1 集成的光源
20.4.2 集成的檢測器
20.5 光互連
20.6 結束語
參考文獻
21 后CMOS時代設備
Wilfried Haensch
21.1 介紹
21.2 用于8納米節點的設備
21.3 新的材料和設備
21.3.1 碳納米管（CNTs）
21.4 結束語
參考文獻
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